半导体器件界面表征和建模

课程编码：180234140100P4010H 英文名称：Semiconductor Device Interface Characterization and Modeling 课时：20 学分：1.00 课程属性：研讨课 主讲教师：邬志成等

本课程旨在通过学习半导体器件界面相关缺陷理论、机理模型、表征方法等内容，进一步深化学生的半导体物理知识，理解器件理想特性和实际特性间的差别及其来源，理解缺陷对器件长期可靠性的影响，同时激发学生对该领域的兴趣和探索精神。
本课程对学生的主要要求包括掌握本课程所涉及的基本概念和理论，理解本课程中介绍的表征建模方法；通过结合半导体物理的知识，建立和培养良好的分析、思考的解决问题能力。

《半导体器件物理学》

第一章 器件、缺陷和可靠性基础
第1节 主流半导体器件及相关缺陷理论基础 2.0学时
第2节 半导体器件界面缺陷和器件可靠性 2.0学时
第二章 器件静电学和缺陷物理模型
第1节 MOS器件静电学及MOSFET建模理论和方法 2.0学时
第2节 缺陷物理模型的理论和方法 2.0学时
第3节 缺陷-器件的相互作用及跨层次的缺陷-器件建模方法 2.0学时
第三章 半导体器件界面的表征和建模方法
第1节 器件缺陷的表征方法及理论（一） 2.0学时
第2节 器件缺陷的表征方法及理论（二） 2.0学时
第3节 测试表征技术、数值建模方法和统计分析手段 2.0学时
第四章 器件缺陷与可靠性的历史和创新
第1节 MOSFET微缩趋势、器件架构与可靠性 2.0学时
第2节 新型微电子器件的界面缺陷及可靠性表征方法 2.0学时

邬志成，研究员，中国科学院微电子研究所研究员，海外优青。博士毕业于比利时鲁汶大学及比利时微电子研究中心(imec)，毕业后于比利时微电子研究中心任职研究员。作为核心研发骨干参与300 mm平台下新型逻辑存储器件研发，包括器件集成、工艺研发、表征建模等工作。共发表学术论文38篇，包括IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)、IEEE International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI)等微电子领域顶会论文11篇，包括高亮论文2篇，获得包括Intel、SK-Hynix、Sony等企业的广泛引用。
王嘉义，副研究员，中国科学院微电子研究所。本科毕业于中国科学技术大学，博士毕业于美国德雷塞尔大学材料科学与工程学院，先后任职于应用材料（AMAT）和中国科学院微电子研究所。主要研究方向为氧化物半导体材料及器件开发。共发表学术论文30篇，包括IEEE International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI)、IEEE Transactions on Electron Devices、Inorganic chemistry等。