集成电路先进光刻与设计工艺协同优化

课程编码：180202085403P3006Y 英文名称：Optimization of Lithography Process and Mask Design in Integrated Circuit 课时：50 学分：2.50 课程属性：专业课 主讲教师：WEI YAYI等

本课程是面向集成电路工程、微电子与固体电子学等专业研究生的专业课。本课程围绕超大规模集成电路制造中的先进光刻工艺和设计工艺协同优化技术，讲述与之相关的理论、设备、材料、测量与控制，及其实际产业化应用相关的基础性内容，包括集成电路物理设计的概念与流程、集成电路制造流程与光刻工艺过程、投影式光刻成像原理与模型、光刻机与光刻胶、计算光刻技术、可制造性设计以及设计与工艺联合优化技术等。为了适应当前先进光刻的需求，本课程会重点讲述在14nm及以下节点广泛使用的计算光刻技术、分辨率增强技术以及设计-工艺联合优化技术等。本课程旨在通过先进光刻技术相关理论的教学，扩宽学生的知识面，加深学生对集成电路制造的理解，提高学生的专业素养和分析问题的能力；通过对先进光刻技术相关设备与应用的研讨，使学生了解先进光刻技术涉及的各种设备和材料，以及联合优化的概念和思想，使他们能够全面、深刻的理解国际半导体发展现状及我国面临的技术难题，引导学生树立技术自强，技术强国的思想。

《物理光学》《半导体工艺与制造工艺》

第一章 集成电路物理设计与制造流程概述 6学时 WEI YAYI
第1节 集成电路的设计流程
第2节 集成电路的制造流程
第二章 光刻工艺 6学时 WEI YAYI
第1节 光刻工艺的评价指标
第2节 光刻工艺研发中各部分的职责与协作
第三章 光刻设备 8学时 WEI YAYI
第1节 光刻机及其应用
第2节 匀胶显影机及其应用
第3节 测量设备及其应用
第四章 光刻胶与掩模版 4学时 WEI YAYI
第1节 光刻胶及其它光刻材料
第2节 掩模版及其管理
第五章 对准及套刻误差控制 5学时 董立松
第1节 光刻机对准与套刻
第2节 套刻误差修正技术
第六章 光刻成像模型 6学时 董立松
第1节 计算光刻技术概述
第2节 光刻成像理论
第七章 分辨率增强技术 6学时 董立松
第1节 传统分辨率增强技术
第2节 光学邻近效应修正技术
第3节 光源-掩模联合优化技术
第八章 设计工艺联合优化技术 5学时 董立松
第1节 可制造性设计的概念和流程
第2节 设计工艺联合优化的基本流程和概念
第3节 面向标准单元和设计过程的DTCO
第九章 极紫外光刻技术 4学时 董立松
第1节 极紫外光刻技术的特征与极紫外光刻机
第2节 EUV中的计算光刻技术

1.韦亚一，博士，中国科学院大学集成电路学院特聘教授、中国科学院微电子所研究员，博士生导师。1998年毕业于德国斯图加特大学/马普固体物理研究所，师从诺贝尔物理学奖获得者克劳斯?冯?克里津（Klaus von Klitzing），获博士学位。韦亚一博士是SPIE Fellow，长期从事半导体光刻设备、材料、软件和制程研发，取得了多项核心技术，发表了超过130篇的专业文献和3本专著。韦亚一博士在国科大集成电路学院和中国科学院微电子研究所创立了计算光刻研发中心，从事先进技术节点的光刻技术研究，其研究成果被广泛应用于国内FinFET和3D NAND的量产工艺中。
2. 董立松，博士，中国科学院微电子所副研究员，硕士生导师。2014年毕业于北京理工大学，获工学博士学位。董立松博士主要从事光刻成像理论、分辨率增强、SMO、OPC等技术的研究工作。发表SCI/EI学术论文30余篇，申请专利10余项。