材料的气相沉积制备技术

课程编码：180092085601M3003H 英文名称：Materials Preparation Technology-- Vapor Deposition 课时：40 学分：2.00 课程属性：专业课 主讲教师：杨少延

通过本课程的学习，不仅能够帮助学生了解和掌握薄膜材料相关基础知识、研究方法及异质外延技术，奠定从事薄膜材料科学研究必备的专业知识基础，还能够帮助学生掌握和熟悉各种重要材料的气相沉积制备技术的原理、设备构造与设计建造技术、材料制备生长工艺及应用，激发从事材料科学研究的兴趣，提升实验技能与实践能力，为我国材料科学领域培养创新型研究人才和高素质产线工程师。

大学物理、无机化学、固体物理

第一章 绪论 2.0学时 杨少延
第1节 材料的气相沉积制备技术应用概要介绍
第2节 《材料的气相沉积制备技术》课程学习内容
第3节 《材料的气相沉积制备技术》课程学习目标
第二章 薄膜材料相关基础知识 6.0学时 杨少延
第1节 薄膜材料相关基础知识
第2节 薄膜材料研究方法
第3节 薄膜材料异质外延技术
第三章 真空技术 2.0学时 杨少延
第1节 真空概念
第2节 真空泵
第3节 真空配件
第4节 真空腔室
第5节 真空系统
第四章 物理气相沉积 12.0学时 杨少延
第1节 物理气相沉积（PVD）概述
第2节 真空蒸发镀膜
第3节 真空溅射镀膜
第4节 真空离子镀膜
第五章 化学气相沉积 16.0学时 杨少延
第1节 化学气相沉积（CVD）概述
第2节 常压化学气相沉积（APCVD）
第3节 低压化学气相沉积（LPCVD）
第4节 等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）
第5节 原子层沉积（ALD）
第6节 金属有机物化学气相沉积（MOCVD）
第7节 近常压化学气相沉积（NAP-CVD）

首席教授简介：杨少延，男，1973年5月12日生，籍贯黑龙江桦南县。中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师、超宽禁带半导体材料研究组组长。研究方向：（1）宽禁带与超宽禁带半导体材料、器件及物理；（2）大失配外延衬底制备技术；（3）氮化镓功率电子材料与器件。工作经历： 自1999年7月于吉林大学硕士毕业后，在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室长期从事宽禁带半导体材料、器件及物理研究及材料制备生产设备研发工作。先后承担或参与国家与地方科研或技术开发项目20多项（经费累计2300多万）。作为课题负责人承担的项目包括：国家重点专项课题1项、国家863课题4项、国家973课题3项、国家自然科学基金项目5项、九五攻关子课题1项，中国科学院仪器设备研制改造项目2项，院地合作研究课题1项，院地合作技术咨询项目1项。 发表学术论文100多篇，其中通讯作者论文30多篇；做国内会议邀请报告4次；申请中国发明专利50多项，已授权27项；培养博士研究生10人、培养硕士研究生10人。主讲教师简介：刘祥林，男，1965年9月12日生，籍贯湖南省岳阳市。中国科学院半导体研究所 研究员、副研究员、博士生导师、MOCVD研究组第2任组长，半导体材料、器件及装备专家；目前主要从事氮化镓材料制备生长技术及MOCVD与HVPE设备设计建造技术研究。中国GaN-LED制备生产技术和GaN-MOCVD设备设计建造技术研发学术技术带头人之一；中国有色金属学会MOCVD分会委员；2005年曾在日本三重大学做高级访问学者。2010年曾任苏州海鲸光电公司总经理并获苏州工业园区创新创业科技领军人才称号；2013年曾任晶能光电(江西)公司和湖南高安新材料公司研发高级顾问。先后承担或参与国家与地方科研或技术开发项目10多项（经费累计1100多万）。作为课题负责人承担的项目包括：国家973子课题1项、国家863课题3项、国家自然科学基金项目4项、中国科学院仪器设备研制改造项目1项，北京市新材料基地重点项目1项。发表学术论文130多篇，其中第1和通讯作者论文50多篇；做国内会议邀请报告2次；申请并获得授权中国专利50多项；培养博士研究生15人、培养硕士研究生2人。