半导体材料与器件的分析与表征

课程编码：180202085403P3002Y 英文名称：Semiconductor Material and Device Characterization 课时：50 学分：2.50 课程属性：专业课 主讲教师：王晓磊等

本课程是微电子学及半导体集成电路相关专业学科研究生的专业普及课。本课程在半导体器件物理的基础上讲授半导体材料与器件的分析与表征方法。使学生掌握半导体材料与器件的关键参数，理解其物理图像，学会其分析和表征方法，掌握其决定机制和物理起源。通过本课程的学习，使得学生能够开展半导体材料和器件的分析和表征，为后续开展科研工作奠定扎实基础

半导体器件、半导体物理

第一章 MOS器件基本原理 6学时 王晓磊
第1节 MOS电容的基本原理
第2节 MOSFET的基本原理
第二章 MOS器件的物理量概览 9学时 王晓磊
第1节 MOS器件的关键参数概览
第2节 MOS器件的关键参数的分析与表征
第三章 界面态 9学时 王晓磊
第1节 界面态的研究历史
第2节 界面态的物理起源
第3节 界面态的分析表征
第4节 界面态的钝化
第四章 栅缺陷
第1节 栅缺陷的影响 1学时 王晓磊
第2节 栅缺陷的物理起源 2学时 王晓磊
第3节 栅缺陷的分析表征 6学时 罗庆
第4节 栅缺陷的钝化 3学时 王晓磊
第五章 迁移率 9学时 王晓磊
第1节 迁移率的物理意义
第2节 迁移率的分析表征
第3节 迁移率的退化机制
第4节 迁移率的提升方法
第六章 化学物理表征方法 5学时 王晓磊
第1节 薄膜材料的物理和化学性质
第2节 常用物理化学表征手段和测试过程
第3节 马达控制

王晓磊，中国科学院微电子研究所，研究员。一直致力于MOS器件技术研究。以第一/通讯作者在IEEE EDL/TED/IEDM和APL上发表文章20余篇。主持国家重点研发计划、国家自然科学基金项目等国家和省部级项目/课题6项。
罗庆，中国科学院微电子研究所，杰青，研究员，博导，微电子器件与集成技术研发中心主任。主要研究方向为新型存储器，以第一或通讯作者在Science、 Nature Communications、IEEE EDL/TED、IEDM、VLSI等期刊会议文章43篇，在IEDM/VLSI上发表论文21篇（一作/通讯13篇），在微电子领域最重要期刊IEEE EDL/TED上发表论文32篇（一作/通讯15篇）。获授权中国专利20项、美国专利7项。主持基金委“后摩尔”重大研究计划重点支持项目、科技部重点研发计划青年科学家项目、中国科学院A类先导项目等。获得2018年中国科学院杰出科技成就奖；获2019年中国电子信息科技创新团队奖；2024年获得中国科学院五四青年奖章。