微纳电子器件前沿

课程编码：180202140100P7004H 英文名称：Frontiers of Micro & Nano-Electronic Devices 课时：20 学分：1.00 课程属性：科学前沿讲座 主讲教师：李泠等

本课程主要讲述微纳电子器件领域内的一些重要的科技前沿发展与学术研究及工程应用最新进展，通过系列讲座使学生掌握现代微纳电子器件的最新进展，了解先进的研究方法与最新的科研与工程应用方向，并锻炼学生运用所学基础知识来开展前沿技术分析的初步能力，为后续研究和专业工作开展奠定基础。

半导体物理、现代半导体器件物理、半导体与集成电路制造工艺

第一章 晶体管紧凑模型 3学时 李泠
第1节 晶体管紧凑模型
第二章 IGZO晶体管前沿进展与应用 3学时 耿玓
第1节 IGZO晶体管前沿进展与应用
第三章 从LED到Micro-LED 3学时 薛春来
第1节 从LED到Micro-LED
第四章 碳纳米管射频器件 3学时 丁力
第1节 碳纳米管射频器件
第五章 二维半导体材料的机遇与挑战 3学时 王业亮
第1节 二维半导体材料的机遇与挑战
第六章 第三代半导体技术与产业 3学时 徐科
第1节 第三代半导体技术与产业
第七章 学生前沿主题报告与演讲 2学时 吴恒
第1节 学生前沿主题报告与演讲

李泠，中国科学院微电子所研究员、副所长，国家杰青，长期从事先进半导体器件模型技术研究。
耿玓，中国科学院微电子所研究员，中国科学院重点专项项目负责人，长期从事氧化物半导体器件与应用技术研究。
汪莱，清华大学长聘教师，国家杰青，长期从事Micro-LED及显示技术应用研究。
丁力，北京大学副研究员，国家专用重点项目负责人，长期从事C基器件及应用技术研究。
谢黎明，国家纳米科学中心研究员，国科大纳米学院《纳米电子材料》首席教授，长期从事二维材料与器件技术研究。
沈波，北京大学长聘教授，国家973、重点研究计划等多项项目负责人，长期从事第三代半导体材料与器件技术研究。
黄森，中国科学院微电子所研究员，国家优青，长期从事宽禁带、大功率化合物半导体器件技术研究。
殷华湘，中国科学院微电子所研究员，国家科技创新领军人才，长期从事先进硅基半导体器件及高级MOS晶体管技术研究。