存储器工艺与器件技术

课程编码：180202085403P3007H 英文名称：Memory Process and Device Technology 课时：40 学分：2.00 课程属性：专业课 主讲教师：夏志良等

存储器是半导体产业的基石之一。随着全球物联网、大数据中心、智能家居、穿戴设备等应用带动的数据存储市场的快速增长，NAND存储器日益成为当前存储器市场的主流。本课程为微电子学及半导体相关技术学科的专业普及课。将重点介绍半导体存储器分类、闪存技术、3D NAND阵列、3D NAND制造工艺、3D NAND操作、3D NAND电学与可靠性特性以及3D NAND 电路设计。当前中国大力推进3D NAND存储器产业的发展，本课程力求培养出掌握这一方面的优秀学生，为中国存储器事业添砖加瓦，推动科学创新产业化。

半导体器件、半导体物理、集成电路设计

第一章 半导体存储器发展概述 3学时 夏志良
第1节 新时代下的中国芯片产业
第2节 半导体存储器概述
第二章 SRAM和DRAM工艺器件技术 3学时 夏志良
第1节 SRAM工艺器件技术
第2节 DRAM 1T技术
第3节 DRAM 1C技术
第三章 Flash存储器技术简介 3学时 夏志良
第1节 Flash 存储器历史
第2节 2D NAND架构发展
第3节 3D NAND架构发展
第四章 Flash 存储器工艺集成技术 3学时 夏志良
第1节 半导体产品开发流程
第2节 半导体基本单步工艺
第3节 Flash存储器工艺集成
第五章 Flash 存储器模型模拟技术 3学时 夏志良
第1节 TCAD简介及纳米尺度器件模拟
第2节 二维闪存器件模拟
第3节 三维闪存器件模拟
第六章 Flash 存储器基本电学特性 3学时 靳磊
第1节 MOSFET简介
第2节 3D NAND Cydrincal Poly-Si CTM
第七章 Flash 存储器阵列操作 3学时 靳磊
第1节 Flash 存储器阵列介绍
第2节 Flash 存储器阵列操作介绍
第3节 多值存储技术及读窗口裕度
第八章 Flash 存储器可靠性技术 3学时 靳磊
第1节 NAND Flash 存储器器件主要可靠性物理机制
第2节 NAND Flash 存储器阵列相关可靠性问题
第3节 NAND Flash 存储器阵列寄生效应和非理想特性
第九章 Flash 存储器测试表征技术 3学时 靳磊
第1节 电学表征方法
第2节 物理表征方法
第3节 失效分析方法
第十章 Flash 存储器的新型应用 3学时 靳磊
第1节 存算一体技术前言概论
第2节 存储器的神经网络应用
第十一章 Flash 存储器芯片设计技术 3学时 靳磊
第1节 NAND闪存基本架构设计
第2节 NAND闪存高性能设计
第3节 NAND闪存高可靠性设计
第十二章 SRAM/DRAM 电路设计技术简介 3学时 靳磊
第1节 SRAM设计技术
第2节 高速DRAM读写电路设计
第3节 高速DRAM接口电路设计
第十三章 新型存储器技术 4学时 夏志良
第1节 相变存储器技术
第2节 阻变存储器技术
第3节 铁电存储器技术
第4节 磁存储技术

夏志良博士，曾任中国科学院微电子研究所正高级工程师，中国科学院“人才引进计划”入选者，中国科学院大学教授、博士生导师，长期从事存储器的研发工作，内容涉及存储器架构、工艺集成技术、器件与可靠性技术等领域。现于长江存储科技有限责任公司，担任研发中心技术总监，兼任项目管理部负责长江存储国家重大专项管理工作。2002年北京大学计算机系本科毕业，2007年北京大学微电子学系博士毕业。毕业后加入韩国三星电子半导体研究所，2015年回国加入中国科学院微电子研究所。

靳磊博士，具有丰富的半导体器件电学测试表征分析经验，曾任中国科学院微电子研究所、新加坡思达科技有限公司项目经理。靳磊博士于2009年在北京大学获得微电子学与固体电子学专业博士。