半导体器件的制备与表征
课程编码：1800920805Z2P5004H
英文名称：Preparation and Characterization of Semiconductor Devices
课时：40
学分：1.00
课程属性：实验课
主讲教师：周玉荣
教学目的要求
通过本课程的学习，让硕士研究生掌握常见半导体器件（pn结、肖特基结、MOSFET等）制备和表征方法
预修课程
半导体器件物理
大纲内容
第一章 半导体器件制备与表征概述 4.0学时 周玉荣
第1节 半导体器件概述
第2节 半导体器件表征方法概述
第二章 肖特基结与欧姆接触 6.0学时 周玉荣
第1节 硅基肖特基器件的制备及肖特基势垒测试
第2节 欧姆接触方法及接触电阻测试方法
第三章 晶硅太阳电池制备与表征 6.0学时 周玉荣
第1节 TOPcon太阳电池的制备及量子效率测试
第2节 PERC太阳电池C-V,I-V测试
第四章 异质结器件的制备与表征 6.0学时 周玉荣
第1节 氧化物异质结器件的制备与性能测试
第2节 非晶硅/硅异质结器件制备与表征
第五章 钙钛矿光电器件制备与表征 6.0学时 周玉荣
第1节 钙钛矿探测器的制备与表征
第2节 钙钛矿太阳电池的制备与性能测试
第六章 场效应管的制备与表征 6.0学时 周玉荣
第1节 IGZO薄膜场效应管的制备与表征
第2节 有机场效应管的制备与表征
第七章 发光二极管的制备与表征 6.0学时 周玉荣
第1节 量子点LED的制备与测试
第2节 钙钛矿LED的制备与测试
参考书
1、
半导体器件物理
施敏
2005
西安交通大学
课程教师信息
周玉荣，中国科学院大学材料与光电学院副教授，主要从事半导体材料与器件方面的研究工作