半导体异质集成技术

课程编码：180202140100P4004H 英文名称：Semiconductor Heterogeneous Integration Technology 课时：20 学分：1.00 课程属性：研讨课 主讲教师：王盛凯等

本课程是集成电路一级学科的研究生专业研讨课。教学目的是培养学生对半导体异质集成技术的理解和应用能力，掌握半导体异质集成技术的基本原理、工艺设备、表征方法等方面的知识，了解半导体异质集成技术在半导体器件、光电子学、生物医学、能源等领域的应用，锻炼学生科研文献阅读、写作、批判和表达能力。
教学要求是要求学生具备一定的物理、化学和数学基础，能够比较熟练掌握半导体物理、器件物理，熟悉集成电路加工工艺基础知识，具有一定的批判性思维能力和科研创新意识。

半导体器件物理，半导体制造技术

第一章 绪论 3学时 王盛凯
第1节 半导体技术发展的源与流
第2节 异质集成的方法概述和基本原理
第二章 异质外延 3学时 王盛凯
第1节 异质外延的基础理论和实现方法
第2节 异质外延的前沿进展和应用
第三章 晶圆键合 3学时 王盛凯
第1节 晶圆键合的基础理论和实现方法
第2节 晶圆键合的前沿进展和应用
第四章 外延层转移 3学时 王盛凯
第1节 外延层转移的基础理论和实现方法
第2节 外延层转移的前沿进展和应用
第五章 先进封装与混合集成 3学时 王盛凯
第1节 先进封装、混合集成的实现方法
第2节 芯粒混合集成的前沿进展和应用
第六章 非外延沉积 3学时 杨冠华
第1节 非外延沉积和氧化物半导体
第2节 氧化物半导体的前沿进展和应用
第七章 展望 2学时 杨冠华
第1节 全球本领域形势解读和技术发展展望

王盛凯，博士毕业于日本东京大学，现任中国科学院微电子研究所研究员、博生生导师，具有半导体界面物理、化合物半导体器件方面十五年以上的研究经历。作为负责人承担国家自然科学基金、国家重点研发计划以及院级、部委项目十余项，在ASS、APL、IEDM、VLSI等期刊和会议上发表文章100余篇，申请发明专利100余项(授权50项，其中授权美国专利5项)，出版外文学术专著2部。现担任Taylor & Francis旗下Frontiers in Semiconductor Technology书系主编、国际介电薄膜会议技术委员会委员，曾获中国科学院青年创新促进会优秀会员(2021)，北京市技术发明二等奖(2019)， IWDTF Young Researcher Award(2011)等。
杨冠华，中科院微电子所副研究员。2011年于西北大学电子科学与技术专业获学士学位，2013年于香港科技大学集成电路专业获硕士学位，2019年于中科院微电子所获微电子学与固体电子学博士学位，其中2013年至2015年在新诺普思科技科技有限公司任模拟集成电路工程师。现为中科院微电子所副研究员，主要研究方向为IGZO晶体管及DRAM应用，在IEDM，VLSI，Nature Comm.，IEEE EDL/TED等会议和期刊发表论文38篇。获国家自然科学基金青年基金、中国博士后科学基金特别资助（站中）、中国科学院特别研究助理等项目资助。