半导体材料测试与分析

课程编码：1800920805Z2P2006H 英文名称：Characterization of Semiconductor Materials 课时：60 学分：3.00 课程属性：专业核心课 主讲教师：金鹏等

本课程是半导体材料相关领域研究生的专业核心课。主要讲授半导体材料科研和生产中常用的测试原理、实验技术和数据分析方法。通过本课程的教学，使学生了解常用的半导体材料电学、光学、结构和成分检测与分析方法，掌握电阻率测量、扩展电阻测量、电容-电压测量、霍尔效应、深能级瞬态谱技术、载流子复合寿命测量、光学显微技术、光致发光、椭偏光谱、红外光谱、扫描探针显微技术、高分辨X射线衍射技术、紫外光电子能谱、俄歇电子能谱、X射线光电子能谱、二次离子质谱、卢瑟福背散射等方法的原理、技术和分析方法。

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第一章 绪论 2学时 金鹏
第1节 绪论
第二章 测量与误差 2学时 金鹏
第1节 测量与误差
第三章 电学性质测试与分析 10学时 金鹏
第1节 电阻率测量
第2节 扩展电阻测量
第3节 电容-电压测量
第4节 霍尔效应测量
第5节 其他电学性质测量方法
第四章 深能级测试与分析 4学时 金鹏
第1节 深能级瞬态谱
第2节 热激电流谱
第五章 载流子复合寿命测量 2学时 金鹏
第1节 载流子复合寿命测量
第六章 光学性质测试与分析 8学时 金鹏
第1节 光学显微技术
第2节 光致发光光谱
第3节 椭圆偏振光谱
第4节 红外光谱
第七章 扫描探针显微技术 6学时 金鹏
第1节 扫描隧道显微技术
第2节 原子力显微技术
第3节 扫描近场光学显微技术
第4节 其他扫描探针显微技术
第八章 高分辨X射线衍射技术 8学时 杨少延
第1节 高分辨X射线衍射技术概述
第2节 异质结构材料缺陷及应力分析
第九章 电子能谱技术 8学时 杨少延
第1节 紫外光电子能谱
第2节 俄歇电子能谱
第3节 X射线光电子能谱
第十章 离子质谱技术 8学时 杨少延
第1节 二次离子质谱
第2节 卢瑟福背散射
第十一章 随堂考试 2学时 金鹏
第1节 随堂考试

金鹏，男，中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学岗位教授，博士生导师。1996年和2001年获南开大学理学学士和博士学位。2001-2003在中国科学院半导体研究所从事博士后研究工作。目前的研究兴趣主要有半导体金刚石材料和器件、半导体材料有关的科学仪器等。先后承担973、国家重大科研装备研制、科技部重点研发计划、国家自然科学基金、北京市科技计划等项目（课题）。发表学术论文近百篇，获国家发明专利授权10余项。

杨少延，男，1973年5月12日生，籍贯黑龙江桦南县。中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师、超宽禁带半导体材料研究组组长。研究方向：（1）宽禁带与超宽禁带半导体材料、器件及物理；（2）大失配外延衬底制备技术；（3）氮化镓功率电子材料与器件。工作经历： 自1999年7月于吉林大学硕士毕业后，在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室长期从事宽禁带半导体材料、器件及物理研究及材料制备生产设备研发工作。先后承担或参与国家与地方科研或技术开发项目20多项（经费累计2300多万）。作为课题负责人承担的项目包括：国家重点专项课题1项、国家863课题4项、国家973课题3项、国家自然科学基金项目5项、九五攻关子课题1项，中国科学院仪器设备研制改造项目2项，院地合作研究课题1项，院地合作技术咨询项目1项。 发表学术论文100多篇，其中通讯作者论文30多篇；做国内会议邀请报告4次；申请中国发明专利50多项，已授权27项；培养博士研究生10人、培养硕士研究生10人。