宽禁带半导体发光材料

课程编码：080501M05004H 英文名称：Wide band gap semiconductor materials for light emission 课时：42 学分：2.00 课程属性：专业普及课 主讲教师：李晋闽等

出勤，文献讲解，读书报告相结合

半导体物理

第一章 宽禁带半导体发展历史 3学时
第1节 宽禁带半导体发展历史
第二章 宽禁带半导体材料的性质和测试方法 12学时
第1节 氮化物材料性质概述
第2节 氮化物材料性质
第3节 氮化物材料测试方法
第4节 氮化物材料测试方法-回所实践课
第三章 宽禁带半导体材料生长与掺杂技术 12学时
第1节 氮化物材料基础
第2节 氮化物材料生长与掺杂
第3节 氮化物材料发展趋势
第4节 氮化物材料生长-回所实践课
第四章 氮化物材料的应用 9学时
第1节 氮化物材料的应用1
第2节 氮化物材料的应用2
第3节 氮化物材料的应用3
第五章 其他宽禁带半导体发光材料 3学时
第1节 其他宽禁带半导体材料
第六章 文献阅读讲解 3学时
第1节 文献调研及讲解

李晋闽，男，博士，研究员，博士生导师。1982年在西安交通大学获得电子工程系半导体物理与器件专业工学学士学位，1984年在信息产业部电子第十三研究所获得半导体材料与器件物理专业工学硕士学位，1991年在中科院西安光学精密机械研究所获得光学专业理学博士学位。1991～1993年：在半导体研究所作博士后研究工作，从事GaAs材料的生长及器件研究，在III-V GaAs红外量子阱探测器方面做出了较有影响的研究工作；1993～1995年：在半导体研究所从事新型半导体材料的研究工作；1995～2002年，任半导体研究所材料中心主任，所长助理，所学术委员会委员，从事新型半导体材料研究工作，主持并完成了国家"九五"重大科技攻关项目"北方微电子基地"的"国家新型半导体材料研究基地建设"以及"新型半导体材料"项目，包括：亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延Si材料项目；双异质SOI材料项目；高温MESFET用GaN外延材料；高温功率器件用MBE SiC材料；1999.10～2002.01：访美学者。1999～至今：半导体研究所创新工程重大项目"半导体功能材料"负责人。在科研、科研管理的同时，积极探索科研成果转化为生产力的途径，积极寻求社会资本，参与组建了北京中科镓英半导体有限责任公司，致力于化合物半导体单晶材料和外延材料的开发生产。王军喜，男，博士，研究员，博士生导师。

　　1998年获得西北大学物理学学士学位，2003年获得中国科学院半导体研究所工学博士学位，自2003年至今在中国科学院半导体研究所工作。

　　从事氮化物材料生长和器件研制工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生长设备和相关材料分析表征方法。使用国产NH3-MBE生长设备，获得了具有当时国际水平的高迁移率GaN外延片；做为骨干科研人员，所在小组研制成功了压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料，并用所研制的材料与信息产业部第十三研究所合作研制出了我国第一只氮化物高温HEMT器件；负责自主设计并制备了一台HVPE厚膜GaN材料生长设备，获得了厚膜GaN材料生长速率超过了每小时200μm，晶体质量位于国内领先水平；在“十一五”期间，负责氮化物MOCVD材料生长研究，主要方向为GaN基LED材料生长研究和紫外LED材料生长研究。

　
袁国栋，男，博士，研究员，博士生导师。

2006年获浙江大学硅材料国家重点实验室半导体材料工学博士学位。2006至2009年任香港城市大学物理及材料科学系COSDAF研究中心博士后（Research Fellow），合作导师李述汤院士，主要从事微纳结构硅、II-VI族半导体和石墨烯等材料可控生长、纳米电子器件及其应用方面的研究工作，在纳米线场效应晶体管、太阳能电池、分子传感及光电器件等方面做出了较有影响的研究工作；2009至2011年先后在德国波鸿鲁尔大学电子工程系和德国柏林洪堡大学物理系做博士后，合作导师Saskia F. Fischer教授，主要从事新型湿法腐蚀多孔硅和微纳结构硅材料热电器件研究工作。2012年到中国科学院半导体研究所工作。2014年获国家优秀青年科学基金。