课程大纲

课程大纲

半导体异质结构材料与应用

课程编码:080501M05006H 英文名称:Semiconductor Heterostructure Materials and Applications 课时:40 学分:2.00 课程属性:专业普及课 主讲教师:王晓亮等

教学目的要求
通过该课程的学习系统掌握半导体异质结知识、以及相关发展历史与现状。

预修课程

大纲内容
第一章 半导体异质结基础 8学时
第1节 异质结的发展与应用
第2节 异质结的概念与分类
第3节 异质结的能带图
第4节 异质结的耗尽层宽度和内建电势
第5节 异质结的势垒电容
第6节 异质结的电流电压特性
第7节 异质结的注入特性
第8节 异质结量子阱结构
第9节 半导体超晶格
第二章 半导体异质结构制备技术及的器件应用 7学时
第1节 半导体材料基础
第2节 半导体异质外延技术
第3节 异质结双极型晶体管
第4节 异质结场效应晶体管
第5节 异质结太阳能电池
第6节 异质结激光器
第三章 GaN基异质结构材料及器件应用 7学时
第1节 概述
第2节 GaN基微波功率器件
第3节 GaN基功率开关器件
第4节 GaN基LED
第5节 GaN基激光器
第6节 GaN基探测器
第四章 SiGe异质结构材料与器件应用 8学时
第1节 引言
第2节 SiGe异质结构的基本概念与性质
第3节 SiGe材料制备技术
第4节 SiGe异质结典型器件应用
第五章 InP基异质结构材料与器件应用 7学时
第1节 引言
第2节 InP基异质结的基本概念与性质
第3节 InP异质结与应用
第4节 InP基材料制备技术
第六章 新型异质结构材料制备与器件应用 3学时
第1节 新型异质结构材料制备与器件应用

参考书
1、 SiGe微电子技术 徐世六 2007年9月1日 国防工业出版社

课程教师信息
王晓亮,男,1963年7月生,博士,博士生导师,中国科学院半导体研究所研究员,中国科学院研究生院教授,西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授。主要从事宽禁带GaN基微波功率器件材料及器件、电力电子器件材料及器件、高效太阳能电池研发以及MOCVD设备研制等工作。从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文近200篇;申请国家发明专利52项,获得授权38项;撰写《10000个科学难题》信息科学卷中的专题篇“固态微波器件”(p328-331,科学出版社);已培养并取得博士学位的研究生近30名。