半导体激光器发展和设计
课程编码：080300M07001H
英文名称：Design and Development of Semiconductor Lasers
课时：20
学分：1.00
课程属性：高级强化课
主讲教师：黄永箴
教学目的要求
了解各种半导体激光器的发展历程以及设计思路
预修课程
半导体激光器
大纲内容
第一章 高功率半导体激光器的设计 4学时
第1节 功率转换效率
第2节 测量的挑战
第3节 优化结构的效率分析
第4节 载流子浓度相关的吸收系数
第5节 非对称波导结构提高效率
第6节 InP系高功率半导体激光器
第7节 光子晶体对高功率半导体激光器光束控制
第8节 小结及讨论
第二章 单模及可调谐半导体激光器的发展 4学时
第1节 模式控制和动态单模半导体激光器
第2节 DFB和DBR半导体激光器
第3节 耦合腔半导体激光器
第4节 多区取样光栅可可调谐半导体激光器
第三章 垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的发展 4学时
第1节 GaAs基VCSEL的发展及应用
第2节 1550 nm的VCSEL及材料选择
第3节 传感应用的InP和GaSb基长波长VCSEL
第4节 其他材料和结构的VCSEL
第四章 Si上半导体激光器的发展 4学时
第1节 IV族材料半导体激光器
第2节 Si上健合III-V材料半导体激光器
第3节 Si上外延生长III-V族材料半导体激光器
第4节 Si上III-V族量子点激光器
第五章 微腔半导体激光器及光子集成 4学时
第1节 微盘及变形微腔半导体激光器
第2节 多边形微腔半导体激光器
第3节 集成半导体微腔激光器
第4节 模式调控及自发混沌的半导体微腔激光器
参考书
1、
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课程教师信息
黄永箴在北京大学物理系获得学士、硕士和博士学位，1989年在中国科学院半导体研究所做博士后，并留所工作。1997年7月被聘为中国科学院半导体研究所研究员，2002年获得国家杰出青年科学基金。现任中科院半导体所和集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任，Photonics Research 编委。负责国家自然科学基金重点项目和基金委国家重大科学仪器研制项目，以及国家重点研发计划项目。针对光子集成芯片对光电子集成器件的需求，开创了直连波导定向输出微腔激光器及其集成研究，撰写Microcavity semiconductor lasers专著，研究成果三次获得中国光学重要成果，并获得2020年中国光学学会光学科技奖一等奖。发表SCI论文200多篇，并多次获得中科院优秀研究生指导教师奖。