存储器工艺与器件技术

课程编码：085402M05006H 英文名称：Memory Technology and Device Technology 课时：30 学分：2.00 课程属性：专业普及课 主讲教师：夏志良等

存储器是半导体产业的基石之一。随着全球物联网、大数据中心、智能家居、穿戴设备等应用带动的数据存储市场的快速增长，NAND存储器日益成为当前存储器市场的主流。本课程为微电子学及半导体相关技术学科的专业普及课。将重点介绍半导体存储器分类、闪存技术、3D NAND阵列、3D NAND制造工艺、3D NAND操作、3D NAND电学与可靠性特性以及3D NAND 电路设计。当前中国大力推进3D NAND存储器产业的发展，本课程力求培养出掌握这一方面的优秀学生，为中国存储器事业添砖加瓦，推动科学创新产业化。

半导体器件、半导体物理、集成电路设计

第一章 半导体存储器发展概述 3学时
第1节 新时代下的中国芯片产业
第2节 半导体存储器概述
第二章 Flash存储器技术简介 3学时
第1节 Flash存储器历史
第2节 2D NAND Flash架构发展
第3节 3D NAND Flash架构发展
第三章 Flash存储器工艺集成技术 3学时
第1节 半导体产品开发流程
第2节 半导体基本单步工艺
第3节 Flash存储器工艺集成
第四章 Flash存储器模型模拟技术 3学时
第1节 TCAD简介及纳米尺度器件模拟
第2节 二维闪存器件模拟
第3节 三维闪存器件模拟
第五章 Flash存储器基本电学特性 3学时
第1节 MOSFET简介
第2节 NAND Flash器件基础
第3节 从二维NAND Flash 到三维 NAND Flash
第六章 Flash存储器阵列操作 3学时
第1节 Flash存储器阵列基本介绍
第2节 Flash存储器阵列基本操作
第七章 Flash存储器可靠性技术 3学时
第1节 NAND Flash器件主要可靠性物理机制
第2节 NAND Flash阵列相关可靠性问题
第3节 NAND Flash 阵列寄生效应和非理想效应
第八章 Flash存储器测试表征技术 3学时
第1节 电学表征方法
第2节 物理表征方法
第3节 失效分析方法
第九章 Flash存储器芯片设计技术 3学时
第1节 NAND Flash基本架构设计
第2节 NAND Flash高性能及高可靠性设计
第3节 新型存储器设计技术简介
第十章 新型存储器技术 3学时
第1节 新型存储器简介
第2节 相变存储器
第3节 阻变存储器
第4节 铁电存储器
第5节 磁存储器

夏志良教授，中国科学院微电子研究所正高级工程师，中国科学院“人才引进计划”入选者，中国科学院大学教授、博士生导师，长期从事存储器的研发工作，内容涉及存储器架构、工艺集成技术、器件与可靠性技术等领域。同时双跨于长江存储科技有限责任公司，担任研发中心技术总监，兼任项目管理部负责长江存储国家重大专项管理工作。2002年北京大学计算机系本科毕业，2007年北京大学微电子学系博士毕业。毕业后加入韩国三星电子半导体研究所，2015年回国加入中国科学院微电子研究所。
1. 作为早期核心骨干参与并成功研发首颗具有我国自主知识产权的32层3D NAND产品芯片，为中国存储器实现“零”的突破做出了重要贡献。
2. 作为项目经理负责基于长江存储首创的具有国际领先地位的Xtacking存储架构的64层产品芯片阵列的研发工作并于2019年9月2日成功量产，将3D NAND和国际领先公司之间的差距缩小到一代。
3. 目前作为项目经理负责长江存储最新一代超高容量3D NAND存储器的研发工作，为继续扩大Xtacking技术优势并引领全球3D NAND存储趋势奋战在第一线。